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碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 - 百度学术
摘要：. 全球工业化水平逐步提高,传统电力电子器件受限于材料的自身因素,难以满足日益提升的要求.而以碳化硅为代表的宽禁带材料和碳化硅 (SiC)MOSFET为代表的宽禁带半导体 2014年10月31日 碳化硅(SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试, 碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度学术
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碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 道客巴巴
2018年11月13日 本文对 SiC MOSFET 这一种新型器件的并联均流情况进行了研究， 其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试， 并利用此平台随机选取了两块 SiC 在充电桩逆变器等电力设备中使用SiC MOSFET能够显著提高功率密度和设备的效率,本文主要针对SiC MOSFET的并联均流电路进行了研究。SiC MOSFET并联模块均流技术研究 - 百度学术
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碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度文库
碳化硅MOSFET并联均流的研究_百度文库. 关键词：碳化硅MOSFET双脉冲测试并联均流. Key words：SiC MOSFET, Double pulse test, Current sharing. 1. 近年来，出现了许多新 摘要：碳化硅（SiC）材料是一种新型宽禁带半导体材料。 本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并利 碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度文库
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一种碳化硅MOSFET的并联均流结构--中国科学院电工研究所
2019年1月16日 一种碳化硅MOSFET的并联均流结构. 中国科学院电工研究所（以下简称电工所）于1958年在北京开始筹建，迄今已有50余年的历史，是我国目前从事电气科学研 2021年6月8日 摘要：. 碳化硅 (SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两 碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 钛学术文献服务平台
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碳化硅mosfet并联均流的研究 - 豆丁网
2021年7月26日 碳化硅MOSFET并联均流的研究InvestigationcurrentsharingparallelingSiCMOSFET （1浙江大学电气工程学院,杭 2023年1月10日 摘要：碳化硅功率器件具有更高的开关频率和耐压特性，为了提高碳化硅功率驱动的过流能力，同时降低引线 电感，设计一个由 4 个碳化硅金属氧化物半导体场效 碳化硅MOSFET并联技术研究_百度文库
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国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先
2022年4月24日 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展. 李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林 2022-04-24. 分享. 摘要： 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环 2022年7月4日 二极管并联均流问题_ 二极管并联均流 关于二极管并联均流的问题 最新推荐文章于 2024-05-31 09:55:17 发布 ... 随着半导体材料和半导体器件制造技术的迅速发展和成熟，各种新型大功率电力电子装置广泛 关于二极管并联均流的问题-CSDN博客
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碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度文库
王珩宇. （1浙江大学电气工程学院，杭州310027）. 摘要：碳化硅（SiC）材料是一种新型宽禁带半导体材料。. 本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并利用此平台随机选取了两块SiC MOSFET分别 ...均流交流排、半导体装置及电子设备的制作方法 2023年3月22日 1.本实用新型涉及电子设备技术领域，特别地涉及一种均流交流排、半导体装置及电子设备。背景技术： 2.随着变流器对于功率等级的需求与日俱增，半导体器件碳化硅均流装置
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一种碳化硅MOSFET的并联均流结构的制作方法 - X技术网
2019年6月11日 2、保证碳化硅mosfet开通时长一致，从而达到均流；3、工程实现较为简单，便于拓展。附图说明 图1为实施例碳化硅mosfet并联均流结构示意图；图2为实施例中均流电感器的具体结构示意图；图3为实施例中碳化硅mosfet的门漏级等效电容示意图。具体实施 并联必然会由于器件，回路和驱动的差异而产生不同程度的不均流问题。. 器件不均流会使得器件的损耗不同，发热不同。. 在稳定工作状态，不同芯片之间必然有一定的温度差，才能保持此稳定工作状态。. 这时总的功率就被温度最高的器件所限定。. 因此SiC ...碳化硅MOSFET并联均流的研究 - 百度文库
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碳化硅均流装置碳化硅均流装置碳化硅均流装置
碳化硅均流装置碳化硅均流装置碳化硅均流装置 2022-02-10T07:02:45+00:00 一种新型碳化硅材料均流装置的制作方法 1本实用新型属于均流装置技术领域，具体涉及一种新型碳化硅材料均流装置。背景技术： 2目前国内现有的一次风管道均流装置一般采用 ...2022年12月30日 6.为解决上述技术问题，本发明提供一种用于流化床反应器的高纯碳化硅内衬的制备方法，包括以下步骤：. 7.s1、将设计的陶瓷模型导入3d打印设备中，采用3d打印成型技术将碳化硅粉料逐层成型出所需尺寸的素坯；. 8.s2、将所述素坯放置于石墨坩埚 一种用于流化床反应器的高纯碳化硅内衬的制备方法与流程
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碳化硅均热板-江苏三责新材料科技股份有限公司 - Sanzer
碳化硅均热板. CORESIC ® SP碳化硅加热板采用等静压成型、高温烧结而成。. 可根据用户设计图纸. 要求进行加工发热体孔,测温、定位孔及开槽加工。. 典型应用. 手机、平板显示器3D玻璃热弯成型机. 汽车终控显示屏3D玻璃热成型机. 非球面玻璃模压热成型机（模造 ...CN330302. 摘要：. 本发明公开一种用于管道内使用的均流装置,属于管道设备技术领域,均流装置包括,第一管体,内部同轴连接第二管体,第二管体内的进水端设置第一均流组件,出水端设置第二均流组件.第一管体两端内壁上设有第一连接板,第二管体两端设有与第一 ...用于管道内使用的均流装置 - 百度学术
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一种碳化硅晶体扩径生长装置,方法及碳化硅晶体 - 百度学术
2023年6月21日 本发明公开了一种碳化硅晶体扩径生长装置,方法及碳化硅晶体,涉及碳化硅晶体制备领域.该碳化硅晶体扩径生长装置包括石墨坩埚,碳化硅籽晶及扩径件,碳化硅籽晶固定于石墨坩埚的内顶壁;扩径件与石墨坩埚的内侧壁连接,且扩径件成型有扩径通道及多个泄流环 相似产品. 查看更多. 返回产品列表. CERAIDIR 平台使用流程. Coresic® SP碳化硅均热板采用等静压、高温烧结而成。. 可根据用户设计图纸要求进行孔，槽加工，与客户现有的加热板组合使用，起到进一步均匀温度场的作用。. 典型应用手机、平板显示器3D玻璃热弯 ...碳化硅均热板 CERADIR 先进陶瓷在线
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一种针对碳化硅MOSFET负温度系数特性的并联均流方法.pdf ...
2023年11月25日 3.根据权利要求2所述的针对碳化硅MOSFET负温度系数特性的并联均流方法，其特征 在于，每个碳化硅MOSFET对应一个驱动电路，利用霍尔电流传感器对各个碳化硅MOSFET的 电流值进行采样，采样后的电流输入到模数转换器中进行转换以获得各个碳化硅本实用新型属于气体均流装置技术领域，具体涉及一种高效的气体缓冲均流装置。背景技术当前市场上的气体缓冲均流装置，如图1所示，气体缓冲均流装置本体1内设有缓冲腔11，气体缓冲均流装置本体1上设有与缓冲腔11相连通的进气孔15，气体缓冲均流装置本体1包括出气均流板12，出气均流板12设置 ...一种高效的气体缓冲均流装置的制作方法
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一种碳化硅的水力溢流分级装置-CN218078362U - 专利顾如 ...
2022年7月20日 1.一种碳化硅的水力溢流分级装置，包括主体(1)，所述主体(1)的顶部固定设置有进料管(2)，其特征在于，所述主体(1)的两侧内壁均开有多个安装插槽(10)，且安装插槽(10)的内壁插接有安装插板(11)，位于同一水平面的两个安装插板(11)的相对一面固定连接有同一个过滤框(6)，所述过滤框(6)的一端设置有 ...2016年4月8日 盘式多孔板均流装置的研究.doc. 合理匹配尺寸,所得结果可直接在空调净化设备中运用. 式多孔板散流装置.它安装于静压箱内,正对送风口,起均流均压作用. 段面—般可视为轴对称,所以采用二维流场分析.本文采用高雷诺数紊流模型. 采用k～e紊流模型来封闭上述 ...盘式多孔板均流装置的研究 - 豆丁网
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导流均流装置对烟气SCR脱硝系统的流场优化模拟
2022年8月27日 数值模拟 /. 流场优化 /. 导流均流装置. 摘要: 针对烟气进入SCR脱硝反应系统后，烟气速度及其组分 (NO x 、NH 3) 浓度的分布不均的问题，提出一种基于导流板的烟气整流方案。. 该方案的技术关键是在喷氨格栅至脱硝反应器进口间的烟道内加装烟气混合装置 2019年6月4日 因此，拟增加冷、热一次风混流及均流装 置，以优化混合管段内的流场和温度场，为风量测量 元件和温度测量元件获取一个较为稳定且分布均匀 的流场和温度场，实现磨煤机入口一次风量的精确 测量。. 2 优化方案设计. 结合以往改造经验，同时通过数值模拟 中速磨煤机入口一次风混流及均流技术研究
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一种玻璃板溢流成型装置及其均热碳化硅挡板的制作方法
2024年4月30日 5.一种玻璃板溢流成型装置，其特征在于，包括：炉体、用于使熔融玻璃溢流成型的成型机构和至少一个如权利要求1-4任意一项所述的均热碳化硅挡板；炉体具有炉腔，成型机构安装炉腔内，至少一个均热碳化硅挡板设置在炉腔的加热元件与成型机构的玻璃液2022年11月30日 1.本发明涉及一种中子束流监测装置，具体涉及一种碳化硅自给能半导体探测器及中子束流反角监测装置。背景技术： 2.加速器中子源是指加速带电粒子(如氘、质子或其他离子)轰击一定的靶材时，可引发发射中子核反应的设备。 与放射性同位素中子源相比，加速器中子源具有中子产额高、能量可调 ...碳化硅自给能半导体探测器及中子束流反角监测装置的制作方法
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【优品论文】---碳化硅mosfet并联均流的研究.doc
2018年4月18日 碳化硅MOSFET并联均流的研究 摘要：碳化硅材料是一种新型宽禁带半导体材料。. Abstract: SiC is a new kind of wind band gap material. This paper investigated the current sharing of paralleling SiC MOSFET. A double pulse tester was built to test two paralleling branches. With this tester, a careful experiment was ...目前，国内对SiC MOSFET并联不均流的原因展开了广泛的研究，其主要包括模块本身参数设计、主功率回路寄生参数、不同应用场合的温度变化等对并联模块电流不均流的影响，表1从模块并联不均流的静态因素及动态因素进行了列举。. 近年来，随着SiC MOSFET器件的 ...SiC MOSFET并联均流技术的研究 - 百度文库
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一种单元组合式烟气均流系统的制作方法 - X技术网
2019年4月30日 本发明涉及一种烟气均流装置，尤其是涉及一种单元组合式烟气均流系统。背景技术在锅炉热力试验中，烟气成分测量是一项重要的工作，直接影响锅炉热效率、空预器漏风率和SCR烟气脱硝系统等的试验结果。目前烟气分析仪的精度已完全满足工程式样的要求，因此，获取有代表性的烟气样品就成为 ...2021年4月30日 该方法是通过电磁感应线圈对石墨坩埚加热，生长原料 (碳化硅粉体)在石墨坩埚中高温下通过升华分解并在温度梯度的驱动下向低温区移动，最终在石墨坩埚的籽晶上形核成晶，生长成碳化硅晶体。. 在实际的晶体生长中，靠近籽晶生长界面的温度场中间温度低 ...碳化硅晶体生长装置及其生长方法、碳化硅晶锭与流程
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一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置_202310049219X ...
2023年2月1日 本发明的目的是提供一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，旨在解决或改善上述技术问题中的至少之一。. 为实现上述目的，本发明提供了如下方案：本发明提供一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，包括：. 进气机构，所述进气机构的出气端开设有第 2024年6月21日 巴威配土耳其胡努特鲁碳化硅均流装置 武乡项目燃烧器碳化硅点火器 东锅配东兴燃烧器碳化硅流化床风帽 1 2 3 下一页 末页 上春仪定制中心 燃烧器配件 燃烧器碳化硅喷嘴 燃烧器碳化硅喷嘴体 燃烧器碳化硅浓缩器 燃烧器碳化硅稳焰齿扩锥 燃烧器碳化硅 ...燃烧器喷嘴,燃烧器碳化硅浓缩器,碳化硅耐磨弯头价格,碳化硅 ...
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碳化硅流延浆料的分散及流变行为,Advances in Applied ...
2005年4月1日 基于这些结果，优化了溶剂、分散剂和分散剂浓度，以得到具有最低沉降速率、最大堆积密度和最低粘度的浆料。. 在添加其他成分如增塑剂、粘合剂和均质剂后，制备具有剪切稀化行为的 SiC 流延浆料。. 流变测量证实了流延浆料的剪切稀化性质。. 获得无可 日前，白鹤滩电厂顺利完成国产碳化硅灭磁电阻试验，标志着长江电力白鹤滩电厂研制的大型机组励磁系统碳化硅灭磁电阻国产化又迈出坚实的一步 ...“碳化硅灭磁电阻”自主可控项目在白鹤滩获重大突破 - MSN
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话题｜碳化硅在新型电力系统中的应用与可靠性研究-电子 ...
2024年4月15日 碳化硅电力电子器件能够科学、高效的实现系统电压、功率和输电品质的控制，并能够有效降低输电的损耗。. 柔性直流输电是基于电压源换流器的高压直流输电（VSC-HVDC），由换流站和直流输电线路构成。. 它被誉为世界上灵活性最高、适应性最强的新一 在试驾体验区，钧联电子检测中心主任对整车及动力系统性能做了讲解。 与会嘉宾们也亲自体验了钧联电子产品在 创维EV6II车型上搭载应用 实际效果，搭载产品为钧联电子自研自制的800V碳化硅三合一电驱总成（250kW），最高工作电压900V，集成BOOST钧联电子800V碳化硅高压电驱总成生产基地投产暨产品批量 ...
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